Вслед за представлением своих последних достижений в области трёхбитной памяти компания Samsung Electronics заявила о запуске первого в отрасли массового производства 32-гигабитных чипов MLC NAND с асинхронным DDR-интерфейсом, выполненных по проектным нормам "30-нм класса”. OEM-партнеры компании начали получать первые партии памяти DDR NAND в конце прошлого месяца.

Память DDR NAND предназначена для мобильных устройств, которым требуются высокие скорости передачи данных и большое хранилище информации. Традиционные решения MLC NAND с SDR-интерфейсом обеспечивают скорость чтения до 40 Мбит/с, тогда как новая память характеризуется скоростью чтения 133 Мбит/с.

По мнению Samsung, её DDR NAND чипы с успехом найдут применение в SSD-накопителях, SD-картах премиум-класса для смартфонов, модулях moviNAND, а также мультимедийных карманных плеерах и автомобильных навигационных системах.

Согласно данным аналитической компании Gartner, мировой рынок NAND-памяти в 2009 году достигнет $13,8 млрд в денежном выражении, а к 2012 году увеличится до $23,6 млрд.